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闪存公司最新视觉报道_中国闪存公司有哪些(2024年12月全程跟踪)

内容来源：威名网所属栏目：热点更新日期：2024-11-30

闪存公司

2028年闪存需求将暴涨！铠侠（KIOXIA），这家曾是东芝存储器的芯片制造商，如今正面临着人工智能（AI）的蓬勃发展带来的新机遇。根据铠侠的预测，到2028年，闪存需求将增长约2.7倍，这主要得益于AI的广泛应用。 𐟏�𚧨ƒ𝦉饼计划：铠侠正计划在东京北部的岩手县建设新工厂，以应对即将到来的存储需求激增。尽管原计划去年开始投产，但由于市场低迷，投产时间已推迟至2025年秋季。 𐟓ˆ 技术创新：在四日市，铠侠已经开始了其最新一代NAND闪存的样品出货。这家公司在日本中部三重县的四日市生产芯片，并继续探索技术创新。 𐟒ᠤ𚺥𗥦™𚨃𝩩𑥊觚„新需求： AI的发展不仅推动了服务器投资的增长，还预计将引发对智能手机和个人电脑的新一轮需求。铠侠执行副总裁Tomoharu Watanabe表示，随着北上工厂的投入运营，他们将有足够的空间来应对这一增长。 𐟓œ 历史与挑战：铠侠经历了多年的动荡，包括贝恩牵头的财团将其从丑闻缠身的东芝剥离出来。尽管如此，铠侠仍然是日本收购公司的试点案例，也是政府希望重振其芯片行业的重要参与者。 𐟒𜠦”🥺œ支持：今年2月，日本宣布将向铠侠及其合作伙伴西部数据提供高达16.4亿美元的补贴，以扩大四日市和北上工厂的产能。这一举措无疑为铠侠的未来发展提供了强有力的支持。

SK 海力士在“NAND Flash”领域获得技术优势，为三星的主导地位奠定基础 #SK海力士# 正在争夺三星在 NAND 闪存市场的宝座，因为据报道，该公司现在在“单元堆叠”技术方面获得了优势。对于那些不知道的人来说，SK 海力士已经在 HBM 市场上给了#三星# 相当大的战斗。虽然 SK 海力士是一家相对“小规模”的公司，但在 HBM 领域为 NVIDIA 等 AI 巨头获得订单时，它已经超过了三星。根据商业韩国，SK 海力士在 NAND 技术优势方面已经超越了三星，因为该公司透露了全球首款 321 层 NAND 闪存，标志着公司的一个重要里程碑。 SK 海力士最新的 321 层 NAND 芯片有望为市场带来显著的性能提升，数据传输速度提高 12%，读取性能提高 13%，能效提高 10% 以上，这无疑使闪存技术位居榜首。这家韩国巨头透露，凭借其最新的 NAND 芯片，它成功地将层数比其前身技术增加了 35%，有趣的是，它多年来在由他们主导的领域已经超过了三星。据透露，在此公告发布后，三星一直对 SK 海力士在市场上的进展感到担忧，因为该公司被称为垂直堆叠单元的“先驱”，大幅增加了层数。但随着 SK 海力士可能在这里取得领先，三星在 NAND 领域的主导地位似乎可能会在这里受到挑战。技术优势并不是这里唯一重要的事情，我们将讨论为什么。如果三星电子允许 SK 海力士在 DRAM 和 HBM 之后赶上 NAND 闪存，那将是三重打击，对行业的象征意义将是巨大的。“以及”尽管三星电子的销售份额目前是压倒性的，但基于 SK 海力士在不断增长的 eSSD 市场的强劲表现，差距可以迅速缩小。- BusinessKorea 虽然 SK 海力士在 NAND 领域取得领先地位肯定令人惊讶，但重要的是要注意，拥有高效的 NAND 生产线同样重要，鉴于三星在该领域的声誉，SK 海力士将很难赶上。然而，三星的低迷表现，加上未能带来新客户，给 SK 海力士带来了巨大的空白需要填补，该公司已经成功地做到了这一点。看看 SK 海力士和三星的竞争在市场上如何演变将是一件有趣的事情，因为这不仅是商业问题，也是文化问题，因为两家公司都参与了在韩国市场展示主导地位的竞争。

长江存储崛起，国产闪存崛起𐟚€ 长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部设在中国的“江城”武汉。这家公司专注于3D NAND闪存的设计和制造，是一家集成的半导体企业。他们的主要业务包括提供3D NAND闪存晶圆、嵌入式存储芯片以及消费级和企业级固态硬盘等产品和解决方案。这些产品广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，在2017年10月成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，他们推出了搭载Xtacking⮦ž𖦞„的第二代TLC 3D NAND闪存。到了2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有当时业界最高的I/O速度、最高的存储密度和最高的单颗容量。长江存储在全球NAND Flash市场中占有一席之地，截至2020年末，他们取得了全球接近1%的市场份额，成为六大国际原厂以外市场份额最大的玩家之一。公司计划通过产能规划，到2025年全球市占率将达到约6%，有望打破国际垄断的格局，引领国产NAND产业的崛起。

「财经超话」存储芯片是现代信息技术中不可或缺的一部分，广泛应用于计算机、手机、服务器等电子设备中。随着5G、人工智能、大数据等技术的快速发展，存储芯片市场需求呈现出爆发式增长。在A股市场中，有多家公司涉及存储芯片业务，以下列举其中四家公司。 1. 万润科技万润科技是一家专注于闪存封装和测试以及存储模组和嵌入式存储研发生产销售的公司，其部分产品支持HMB功能。 2. 江波龙江波龙是一家聚焦于存储产品的公司，已形成嵌入式存储、固态硬盘、移动存储及内存条四大产品线，与长江存储、长鑫存储等公司有合作关系。 3. 兆易创新兆易创新是一家存储器产品包括闪存芯片和动态随机存取存储器的公司，其持有长鑫科技1.88%的股权。 4. 德明利德明利是一家存储业务占比99.68%的公司，主要通过采购NANDFlash存储晶圆进行封装、测试后形成存储模组并销售。

【天风电子】美国或将实施HBM制裁，关注HBM产业链核心公司的投资机遇根据芯谋研究提供的数据，美国政府可能即将实施与HBM技术相关的制裁措施，这些措施旨在限制美光科技、SK海力士和三星等公司向中国企业供应HBM芯片。在此背景下，对中国企业而言，HBM相关产业加速扩产及相关设备材料的国产化替代已成为一项迫切的需求。价格方面，HBM带动整体DRAM价格持续上扬，四季度来看，根据闪存市场预测，一般型DRAM (Conventional DRAM)涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，可见HBM四季度价格涨幅预期或高于8%至13% 市场规模来看，全球HBM市场在2023至2026年间预计将以年复合增长率100%的速度扩张，市场规模至2026年有望达到300亿美元，较此前预测上调超过30%。该增长主要受全球AI投资的强劲势头和HBM技术的迅猛发展所驱动，AI芯片对HBM的容量需求增加将进一步推动市场增长。重点关注相关扩产产业链头部公司：设备：中微公司、正帆科技、北方华创、拓荆科技、赛腾股份、华海清科、芯源微、精智达、新益昌等材料：雅克科技、鼎龙股份、华海诚科、联瑞新材、兴森科技、强力新材、德邦科技、飞凯材料等封测：长电科技、通富微电等

国产设备助力，长江存储突破 𐟓𑠩•🦱Ÿ存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重挑战下，成功使用国产半导体设备制造出了3D NAND闪存芯片。这一突破标志着中国半导体产业在自主创新和技术替代方面取得了重要进展。 𐟔砩•🦱Ÿ存储利用国产设备，成功将3D NAND的层数堆叠至232层，这一技术优势使其在国际市场上具有强大的竞争力。此前，长江存储主要依赖ASML、泛林集团等外国供应商提供的关键工具和设备，但如今，越来越多的中国国产半导体设备供应商承担了生产流程的大部分。 𐟛 ️ 长江存储转向国内半导体设备供应商，如中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备、拓荆科技的沉积设备等，这些设备的成功应用为3D NAND闪存芯片的制造提供了强有力的支持。 𐟌Ÿ 在被制裁的两年里，长江存储依然保持了稳健的发展势头，通过自主研发和技术创新，成功实现了关键设备的国产化替代，展现了中国半导体产业的巨大潜力。

西部数据闪存和硬盘业务分拆，新CEO就位 𐟓… 3月5日，西部数据宣布，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命新的CEO，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。全球运营执行副总裁Irving Tan将出任独立硬盘公司的掌门人。 𐟔„ 自2021年以来，西部数据及其制造合作伙伴铠侠一直在就合并进行谈判，合并后将控制全球NAND闪存市场三分之一的市场份额。然而，合并谈判在2023年10月陷入僵局，随后西部数据宣布，将剥离面临供应过剩问题的闪存业务，并为其部分债务进行新一轮融资。 𐟓ˆ 此次分拆将使西部数据保留其传统的硬盘驱动器业务，并创建两家上市公司，以满足激进投资者埃利奥特投资公司的要求。同时，此次分拆消除了西部数据闪存部门多年来的不确定性，该部门是通过2016年190亿美元收购闪迪（SanDisk）打造的，面向智能手机和电脑行业。

武汉能否保住中部第一城？合肥发展势头强劲近年来，安徽合肥在集成电路、新能源、互联网和低空产业方面的布局，使其迅速跻身全国前十大科技创新城市和先进制造业城市行列。合肥的发展势头，已经远远超过了其经济总量在全国的排名，成为全国发展版图上不可忽视的力量。而隔壁的武汉，虽然号称华中地区规模最大、实力最强的中心城市，但在高科技产业领域却表现不尽如人意，如今已被合肥甩出了几条街，中部第一城的位置恐将不保。 𐟔 集成电路领域：合肥领先在集成电路领域，合肥市共有两家A股集成电路设计行业上市公司，总市值达85亿元。其中，总部位于合肥经济技术开发区的龙迅半导体股份有限公司，在信号传输、视频处理和新型显示驱动芯片等技术上居于国内领先地位。2023年，龙迅半导体的营业收入虽不高，但净利润却突破了1亿元，这样的成绩在业界内还算是可观的。相比之下，武汉在上游设计环节一直是其最大的短板，导致武汉在A股榜单上名落孙山，无缘全国前20位。 𐟚€ 存储芯片：合肥更胜一筹在存储芯片领域，合肥的长鑫存储和武汉的长江存储是两家顶尖公司。合肥的长鑫存储专注于内存领域，而武汉的长江存储则侧重于闪存领域。面对三星、海力士、美光等海外厂商长期占据较大市场份额的困境，长鑫存储的晶圆产能却节节攀升，产品工艺不断改进，市场份额直逼10%。而长江存储尽管生产规模在不断扩大，产品的性能和容量也在不断提高，但其市场占有率却并没有得到显著的提升，目前还不到5%。对比之下，长鑫存储显然更胜一筹，更具有竞争力。 𐟛렧”𕥊詣ž机：合肥抢占先机最近，国家空管委宣布包括合肥在内的全国六座城市开展电动飞机试点，这在国内掀起了一波热潮。合肥自从2022年引入了首家电动飞机企业——零重力飞机工业有限公司之后，短短的两年时间里，又陆续引入了亿航智能、览翌航空等多家电动飞机整机制造企业，自主研发出多款极具竞争力的飞行器，为开展电动飞机试点提供了强大的科技保障。反观武汉，其短板十分明显。武汉本地的电动飞机相关企业普遍规模不大，应用强，制造弱的现象尤为突出，整机制造企业数量明显不足，严重制约着该市低空经济的发展。此外，应用场景不多，市场需求有限，再加上在大中型、工业级电动飞机的核心技术攻关方面也力不从心，导致武汉的低空实力差强人意，败给了合肥这座地级省会城市。综上所述，在科技创新与先进制造业领域，合肥目前已经实现了完美超越，对武汉构成了压倒之势，难道不是吗？

佰维存储：小存储厂也能有大作为 𐟚€ 大厂不要我，那我就试试这个小存储厂吧𐟘…。佰维存储：小而美的存储解决方案佰维存储，全称深圳伯维存储科技股份有限公司，成立于2010年，是一家专注于半导体存储器研发设计、封装测试、生产和销售的国家高新技术企业。公司以“存储赋能万物智联”为使命，致力于成为全球一流的存储与先进封测厂商。主要产品与服务 𐟓€ 佰维存储的主要产品及服务包括嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储、移动存储以及先进封装测试服务。产品广泛应用于手机、平板、智能穿戴、无人机、智能电视、笔记本电脑、智能车载、机顶盒、智能工控、物联网等领域。技术创新与研发实力 𐟔스𜯧𛴥혥‚襜襭˜储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发、全球品牌运营等方面具有核心竞争力。公司自建封测产能，工艺技术行业领先，并达到了较高的自动化、智能化生产水平以及封装良率。市场地位 𐟓ˆ 根据中国闪存市场调研数据，2021年佰维存储eMMC及UFS在全球市场占有率达到2.4%，排名全球第8，国内第22。在嵌入式存储领域，佰维存储是国内市场份额前列的自主品牌企业。企业文化 𐟏⊤𝰧𛴥혥‚觚„企业文化强调“存储赋能万物智联”，致力于满足终端客户对标准化、规模化存储产品的需求，并针对各细分行业市场深度定制存储方案。公司的愿景是成为全球一流的存储与先进封测厂商。职业发展 𐟚€ 伯维存储为员工提供专业的导师带教和丰富的培训机会，领导同事友好，氛围良好，晋升通道清晰。公司提供有竞争力的薪酬福利，并注重员工的职业发展和绩效管理。总结 𐟓 佰维存储虽然不是大厂，但在存储领域有着独特的优势和竞争力。如果你对存储技术感兴趣，不妨考虑一下这家公司。说不定会有意想不到的收获哦！

SK海力士321层NAND，破纪录！ SK海力士在11月宣布，将在1月21日开始量产全球最高的321层1Tb三级单元（TLC）4DNAND闪存。这一里程碑标志着SK海力士成为NAND闪存行业中第一家开始量产超过300层产品的公司，代表着重大的技术进步。这一成就的背后是SK海力士的不懈努力。去年6月，该公司开始量产上一代最高的238层NAND。同年8月，在美国闪存峰会（FMS）上，SK海力士展示了321层产品的开发进展，并首次展示了样品。这一进展凸显了SK海力士致力于突破NAND闪存技术界限的承诺。 NAND闪存是一种非易失性存储技术，广泛应用于智能手机、平板电脑、USB驱动器和固态硬盘（SSD）等电子设备。NAND闪存的层数是指存储单元的垂直堆叠，层数越多通常表示存储密度和容量越高。321层NAND闪存与前几代（例如238层NAND）相比实现了重大飞跃。新的321层产品相比其前身有多项改进。数据传输速度提升了12%，读取性能提升了13%，数据读取电源效率提升了10%以上。这些增强功能对于满足人工智能（AI）和数据中心等应用中对高性能和大容量内存不断增长的需求至关重要。 SK海力士推出了“3-Plug”工艺技术，以克服321层产品开发过程中的堆叠限制。这种创新方法涉及分三个阶段进行插塞过程，然后优化后续过程以电连接三个插塞。此外，SK海力士开发了一种低变形材料，通过改变插头内部填充的材料来减少变形，并引入了插头之间的自动对准校正技术。 SK海力士将上一代238层NAND的开发平台应用到了321层，最大限度地减少了工艺变更，与上一代相比，生产率提高了59%。与上一代产品相比，321层产品的数据传输速度提高了12%，读取性能提高了13%。数据读取的电源效率也提升了10%以上。 SK海力士副总裁Choi Jung-dal强调了这一成果的战略重要性，他表示：“SK海力士在瞄准AI存储市场（包括用于AI数据中心和设备端AI的SSD）方面获得了有利的地位，成为第一个开始大规模生产300层以上NAND的公司。”他进一步补充道：“我们将凭借完美的超高性能内存产品组合，以高带宽内存（HBM）为代表的DRAM以及NAND等，成为人工智能内存提供商。”

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